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SI6562DQ-T1-E3

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부품 번호
SI6562DQ-T1-E3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
SI6562DQ-T1-E3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N and P-Channel
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
600mV @ 250µA (Min)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
25nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급 업체 장치 패키지
8-TSSOP

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