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FD1000R17IE4DB2BOSA1

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부품 번호
FD1000R17IE4DB2BOSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MODULE IGBT PRIME3-1
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
FD1000R17IE4DB2BOSA1.pdf
합계:$660.30500
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(미국 달러로)
1PC
$660.30500

견적 인용

부품 번호
FD1000R17IE4DB2BOSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MODULE IGBT PRIME3-1
부품 상태
Active
IGBT 유형
-
구성
Single
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
1700V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
1390A
전력 - 최대
6250W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 1000A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)
5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
81nF @ 25V
입력
Standard
NTC 서미스터
Yes
작동 온도
-40°C ~ 150°C
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급 업체 장치 패키지
Module

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