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FDMQ8203

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부품 번호
FDMQ8203
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$1.40000
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(미국 달러로)
1PC
$1.40000

견적 인용

부품 번호
FDMQ8203
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
부품 상태
Active
FET 유형
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V, 80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
3.4A, 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
210pF @ 50V
전력 - 최대
2.5W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
12-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지
12-MLP (5x4.5)

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