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NVMFS5C638NLT1G

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부품 번호
NVMFS5C638NLT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.59400
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부품 번호
NVMFS5C638NLT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
26A (Ta), 133A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
40.7nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2880pF @ 25V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
4W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN, 5 Leads

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