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GSID100A120T2P2

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부품 번호
GSID100A120T2P2
제조사
Global Power Technologies Group, Inc.
기술
SILICON IGBT MODULES
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
GSID100A120T2P2.pdf
합계:$137.13000
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$137.13000

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부품 번호
GSID100A120T2P2
제조사
Global Power Technologies Group, Inc.
기술
SILICON IGBT MODULES
부품 상태
Active
IGBT 유형
-
구성
Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
200A
전력 - 최대
710W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)
1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
13.7nF @ 25V
입력
Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터
Yes
작동 온도
-40°C ~ 150°C
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급 업체 장치 패키지
Module

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