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TPS1101DR

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부품 번호
TPS1101DR
제조사
Texas Instruments
기술
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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합계:$0.97020
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부품 번호
TPS1101DR
제조사
Texas Instruments
기술
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
부품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
15V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
2.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
11.25nC @ 10V
Vgs (최대)
+2V, -15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
791mW (Ta)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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