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SI4931DY-T1-GE3

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부품 번호
SI4931DY-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
SI4931DY-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
부품 상태
Active
FET 유형
2 P-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
6.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 350µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
52nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.1W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지
8-SO

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