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1N5809US

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부품 번호
1N5809US
제조사
Microsemi
기술
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$11.30000
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재고 8275 PC

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(미국 달러로)
1PC
$11.30000

견적 인용

부품 번호
1N5809US
제조사
Microsemi
기술
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
부품 상태
Active
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
100V
전류 - 평균 정류 (Io)
3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
875mV @ 4A
속도
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
30ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SQ-MELF, B
공급 업체 장치 패키지
B, SQ-MELF
작동 온도 - 정션
-65°C ~ 175°C

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