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IXFT6N100F

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부품 번호
IXFT6N100F
제조사
IXYS RF/Littelfuse
기술
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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1PC
$10.03000

견적 인용

부품 번호
IXFT6N100F
제조사
IXYS RF/Littelfuse
기술
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1000V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
5.5V @ 2.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
54nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1770pF @ 25V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
180W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
TO-268 (IXFT)
패키지 / 케이스
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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