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LND01K1-G

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부품 번호
LND01K1-G
제조사
Microchip Technology
기술
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.33166
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부품 번호
LND01K1-G
제조사
Microchip Technology
기술
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
9V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
330mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ ID
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
-
Vgs (최대)
+0.6V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
46pF @ 5V
FET 특징
Depletion Mode
전력 발산 (최대)
360mW (Ta)
작동 온도
-25°C ~ 125°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
SOT-23-5
패키지 / 케이스
SC-74A, SOT-753

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