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QS6J11TR

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부품 번호
QS6J11TR
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
QS6J11TR
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
부품 상태
Active
FET 유형
2 P-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
770pF @ 6V
전력 - 최대
600mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 업체 장치 패키지
TSMT6 (SC-95)

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