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SI8441DB-T2-E1

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부품 번호
SI8441DB-T2-E1
제조사
Vishay
기술
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
SI8441DB-T2-E1
제조사
Vishay
기술
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
부품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
10.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
700mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
13nC @ 5V
Vgs (최대)
±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
600pF @ 10V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
6-Micro Foot™ (1.5x1)
패키지 / 케이스
6-UFBGA

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