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집 제품 이산 반도체 제품 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single IRF510STRRPBF

IRF510STRRPBF

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부품 번호
IRF510STRRPBF
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
IRF510STRRPBF
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
5.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
180pF @ 25V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
TO-263 (D²Pak)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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