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BSZ215CHXTMA1

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부품 번호
BSZ215CHXTMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
BSZ215CHXTMA1.pdf
합계:$0.51205
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부품 번호
BSZ215CHXTMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
부품 상태
Active
FET 유형
N and P-Channel Complementary
FET 특징
Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
5.1A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1.4V @ 110µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
419pF @ 10V
전력 - 최대
2.5W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
공급 업체 장치 패키지
PG-TSDSON-8

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