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SIDR680DP-T1-GE3

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부품 번호
SIDR680DP-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CH 80V
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
SIDR680DP-T1-GE3.pdf
합계:$1.47643
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1PC
$1.47643

견적 인용

부품 번호
SIDR680DP-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CH 80V
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
32.8A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
105nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5150pF @ 40V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8DC
패키지 / 케이스
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