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EMD6T2R

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부품 번호
EMD6T2R
제조사
ROHM Semiconductor
기술
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
EMD6T2R
제조사
ROHM Semiconductor
기술
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
부품 상태
Active
트랜지스터 유형
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
50V
저항기 -베이스 (R1)
4.7 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대)
-
빈도 - 전환
250MHz
전력 - 최대
150mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지
EMT6

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