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SQJB00EP-T1_GE3

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부품 번호
SQJB00EP-T1_GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
SQJB00EP-T1_GE3.pdf
합계:$0.56859
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부품 번호
SQJB00EP-T1_GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1700pF @ 25V
전력 - 최대
48W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8 Dual
공급 업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8 Dual

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