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SIJ186DP-T1-GE3

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부품 번호
SIJ186DP-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
SIJ186DP-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
23A (Ta), 79.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3.6V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
37nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1710pF @ 30V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
5W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8

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