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HTNFET-D

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부품 번호
HTNFET-D
제조사
Honeywell Aerospace
기술
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
HTNFET-D.pdf
합계:$406.00000
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부품 번호
HTNFET-D
제조사
Honeywell Aerospace
기술
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
55V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.4V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
4.3nC @ 5V
Vgs (최대)
10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
290pF @ 28V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
50W (Tj)
작동 온도
-55°C ~ 225°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
8-CDIP-EP
패키지 / 케이스
8-CDIP Exposed Pad

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