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SI7938DP-T1-GE3

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부품 번호
SI7938DP-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
SI7938DP-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
60A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
65nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2300pF @ 20V
전력 - 최대
46W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8 Dual
공급 업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8 Dual

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