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SI1965DH-T1-GE3

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부품 번호
SI1965DH-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
SI1965DH-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
부품 상태
Active
FET 유형
2 P-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
4.2nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
120pF @ 6V
전력 - 최대
1.25W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지
SC-70-6 (SOT-363)

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