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IPG20N06S4L14ATMA2

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부품 번호
IPG20N06S4L14ATMA2
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2N-CH 8TDSON
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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합계:$0.63011
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부품 번호
IPG20N06S4L14ATMA2
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2N-CH 8TDSON
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
13.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.2V @ 20µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
39nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2890pF @ 25V
전력 - 최대
50W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
공급 업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-4

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