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NTLJD3115PT1G

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부품 번호
NTLJD3115PT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.21619
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부품 번호
NTLJD3115PT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
부품 상태
Active
FET 유형
2 P-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
531pF @ 10V
전력 - 최대
710mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지
6-WDFN (2x2)

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