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ALD1110EPAL

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부품 번호
ALD1110EPAL
제조사
Advanced Linear Devices, Inc.
기술
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
ALD1110EPAL.pdf
합계:$6.49860
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$6.49860

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부품 번호
ALD1110EPAL
제조사
Advanced Linear Devices, Inc.
기술
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
10V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs
500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1.01V @ 1µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2.5pF @ 5V
전력 - 최대
600mW
작동 온도
0°C ~ 70°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급 업체 장치 패키지
8-PDIP

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