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SI4946BEY-T1-E3

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부품 번호
SI4946BEY-T1-E3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
SI4946BEY-T1-E3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
840pF @ 30V
전력 - 최대
3.7W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지
8-SO

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