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FF6MR12W2M1B11BOMA1

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부품 번호
FF6MR12W2M1B11BOMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET MODULE 1200V 200A
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
FF6MR12W2M1B11BOMA1.pdf
합계:$319.79000
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1PC
$319.79000

견적 인용

부품 번호
FF6MR12W2M1B11BOMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET MODULE 1200V 200A
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
200A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
5.63 mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (최대) @ ID
5.55V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
496nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
14700pF @ 800V
전력 - 최대
20mW (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급 업체 장치 패키지
AG-EASY2BM-2

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