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1N4935G R1G

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부품 번호
1N4935G R1G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
1N4935G R1G.pdf
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부품 번호
1N4935G R1G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
부품 상태
Active
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
200V
전류 - 평균 정류 (Io)
1A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
1.2V @ 1A
속도
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
200ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
DO-204AL, DO-41, Axial
공급 업체 장치 패키지
DO-204AL (DO-41)
작동 온도 - 정션
-55°C ~ 150°C

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