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SH8M12TB1

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부품 번호
SH8M12TB1
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
SH8M12TB1
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
부품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N and P-Channel
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
5A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
250pF @ 10V
전력 - 최대
2W
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지
8-SOP

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