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TPH3208LSG

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부품 번호
TPH3208LSG
제조사
Transphorm
기술
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$11.35000
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(미국 달러로)
1PC
$11.35000

견적 인용

부품 번호
TPH3208LSG
제조사
Transphorm
기술
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
부품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
과학 기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.6V @ 300µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
42nC @ 8V
Vgs (최대)
±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
760pF @ 400V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
96W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
3-PQFN (8x8)
패키지 / 케이스
3-PowerDFN

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