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TK7S10N1Z,LQ

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부품 번호
TK7S10N1Z,LQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.54600
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부품 번호
TK7S10N1Z,LQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
7.1nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
470pF @ 10V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
50W (Tc)
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
DPAK+
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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