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TSM250N02DCQ RFG

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부품 번호
TSM250N02DCQ RFG
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
TSM250N02DCQ RFG.pdf
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부품 번호
TSM250N02DCQ RFG
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
5.8A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
800mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
775pF @ 10V
전력 - 최대
620mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-VDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지
6-TDFN (2x2)

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