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BSM180D12P2C101

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부품 번호
BSM180D12P2C101
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$415.20000
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1PC
$415.20000

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부품 번호
BSM180D12P2C101
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
204A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ ID
4V @ 35.2mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
23000pF @ 10V
전력 - 최대
1130W
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
-
패키지 / 케이스
Module
공급 업체 장치 패키지
Module

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