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MURT20060R

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부품 번호
MURT20060R
제조사
GeneSiC Semiconductor
기술
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
MURT20060R.pdf
합계:$93.45960
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재고 999 PC

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(미국 달러로)
1PC
$93.45960

견적 인용

부품 번호
MURT20060R
제조사
GeneSiC Semiconductor
기술
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
부품 상태
Active
다이오드 구성
1 Pair Common Anode
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
600V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
200A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
1.7V @ 100A
속도
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
160ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
25µA @ 50V
작동 온도 - 정션
-
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Three Tower
공급 업체 장치 패키지
Three Tower

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