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APT56M60B2

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부품 번호
APT56M60B2
제조사
Microsemi
기술
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$14.41667
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1PC
$14.41667

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부품 번호
APT56M60B2
제조사
Microsemi
기술
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
5V @ 2.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
280nC @ 10V
Vgs (최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
11300pF @ 25V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
1040W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
TO-247 [B]
패키지 / 케이스
TO-247-3 Variant

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