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RUC002N05HZGT116

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부품 번호
RUC002N05HZGT116
제조사
ROHM Semiconductor
기술
1.2V DRIVE NCH MOSFET
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
RUC002N05HZGT116
제조사
ROHM Semiconductor
기술
1.2V DRIVE NCH MOSFET
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
50V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
-
Vgs (최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
25pF @ 10V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
350mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
SST3
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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