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NGTB03N60R2DT4G

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부품 번호
NGTB03N60R2DT4G
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 9A 600V DPAK
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부품 번호
NGTB03N60R2DT4G
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 9A 600V DPAK
부품 상태
Active
IGBT 유형
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
9A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
12A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3A
전력 - 최대
49W
스위칭 에너지
50µJ (on), 27µJ (off)
입력 유형
Standard
게이트 차지
17nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
27ns/59ns
시험 조건
300V, 3A, 30 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
65ns
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지
DPAK

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