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APTMC120AM08CD3AG

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부품 번호
APTMC120AM08CD3AG
제조사
Microsemi
기술
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$1199.97000
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1PC
$1199.97000

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부품 번호
APTMC120AM08CD3AG
제조사
Microsemi
기술
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
250A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.2V @ 10mA (Typ)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
490nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9500pF @ 1000V
전력 - 최대
1100W
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
D-3 Module
공급 업체 장치 패키지
D3

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