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RGT8NS65DGTL

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부품 번호
RGT8NS65DGTL
제조사
ROHM Semiconductor
기술
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.56070
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부품 번호
RGT8NS65DGTL
제조사
ROHM Semiconductor
기술
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
부품 상태
Active
IGBT 유형
Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
8A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
12A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
전력 - 최대
65W
스위칭 에너지
-
입력 유형
Standard
게이트 차지
13.5nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
17ns/69ns
시험 조건
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
40ns
작동 온도
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지
LPDS (TO-263S)

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