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집 제품 이산 반도체 제품 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single SI1305EDL-T1-GE3

SI1305EDL-T1-GE3

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부품 번호
SI1305EDL-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
SI1305EDL-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
부품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
8V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
860mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
450mV @ 250µA (Min)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Vgs (최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
290mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
SC-70-3
패키지 / 케이스
SC-70, SOT-323

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