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IDB10S60C

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부품 번호
IDB10S60C
제조사
Infineon Technologies
기술
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
IDB10S60C
제조사
Infineon Technologies
기술
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
부품 상태
Obsolete
다이오드 유형
Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
600V
전류 - 평균 정류 (Io)
10A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
1.7V @ 10A
속도
No Recovery Time > 500mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
0ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
140µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F
480pF @ 1V, 1MHz
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지
D2PAK
작동 온도 - 정션
-55°C ~ 175°C

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