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BU4S11G2-TR

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부품 번호
BU4S11G2-TR
제조사
ROHM Semiconductor
기술
IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
BU4S11G2-TR
제조사
ROHM Semiconductor
기술
IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
부품 상태
Active
논리 유형
NAND Gate
회로 수
1
입력 수
2
풍모
-
전압 - 공급
3V ~ 16V
전류 - 대기 (최대)
1µA
전류 출력 고, 저
3.4mA, 3.4mA
논리 수준 - 낮음
1.5V ~ 4V
논리 레벨 - 높음
3.5V ~ 11V
최대 전파 지연 @ V, 최대 CL
30ns @ 15V, 50pF
작동 온도
-40°C ~ 85°C
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
5-SSOP
패키지 / 케이스
SC-74A, SOT-753

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