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SCT3105KLGC11

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부품 번호
SCT3105KLGC11
제조사
ROHM Semiconductor
기술
SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$17.78000
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(미국 달러로)
1PC
$17.78000

견적 인용

부품 번호
SCT3105KLGC11
제조사
ROHM Semiconductor
기술
SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
137 mOhm @ 7.6A, 18V
Vgs (th) (최대) @ ID
5.6V @ 3.81mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
51nC @ 18V
Vgs (최대)
+22V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
574pF @ 800V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
134W
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
TO-247N
패키지 / 케이스
TO-247-3

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