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TC58BYG0S3HBAI6

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부품 번호
TC58BYG0S3HBAI6
제조사
Toshiba Memory America, Inc.
기술
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$3.21000
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(미국 달러로)
1PC
$3.21000

견적 인용

부품 번호
TC58BYG0S3HBAI6
제조사
Toshiba Memory America, Inc.
기술
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
부품 상태
Active
메모리 유형
Non-Volatile
메모리 형식
FLASH
과학 기술
FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기
1Gb (128M x 8)
클럭 주파수
-
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
25ns
액세스 시간
25ns
메모리 인터페이스
Parallel
전압 - 공급
1.7V ~ 1.95V
작동 온도
-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
67-VFBGA
공급 업체 장치 패키지
67-VFBGA (6.5x8)

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