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SI1029X-T1-GE3

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부품 번호
SI1029X-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
SI1029X-T1-GE3.pdf
합계:$0.19855
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부품 번호
SI1029X-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
부품 상태
Active
FET 유형
N and P-Channel
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
305mA, 190mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
30pF @ 25V
전력 - 최대
250mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지
SC-89-6

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