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APTM120H57FTG

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부품 번호
APTM120H57FTG
제조사
Microsemi
기술
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
APTM120H57FTG
제조사
Microsemi
기술
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
부품 상태
Obsolete
FET 유형
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
5V @ 2.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
187nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5155pF @ 25V
전력 - 최대
390W
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
SP4
공급 업체 장치 패키지
SP4

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