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HGT1S12N60A4DS

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부품 번호
HGT1S12N60A4DS
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$3.27126
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$3.27126

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부품 번호
HGT1S12N60A4DS
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
부품 상태
Not For New Designs
IGBT 유형
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
54A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
96A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
전력 - 최대
167W
스위칭 에너지
55µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형
Standard
게이트 차지
78nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
17ns/96ns
시험 조건
390V, 12A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
30ns
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지
TO-263AB

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