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TSM200N03DPQ33 RGG

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부품 번호
TSM200N03DPQ33 RGG
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
TSM200N03DPQ33 RGG
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
20A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
345pF @ 25V
전력 - 최대
20W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN
공급 업체 장치 패키지
8-PDFN (3x3)

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