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SIA810DJ-T1-GE3

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부품 번호
SIA810DJ-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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견적 인용

부품 번호
SIA810DJ-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
11.5nC @ 8V
Vgs (최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
400pF @ 10V
FET 특징
Schottky Diode (Isolated)
전력 발산 (최대)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
PowerPAK® SC-70-6 Dual
패키지 / 케이스
PowerPAK® SC-70-6 Dual

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