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BSG0810NDIATMA1

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부품 번호
BSG0810NDIATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
BSG0810NDIATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징
Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
19A, 39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1040pF @ 12V
전력 - 최대
2.5W
작동 온도
-55°C ~ 155°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
공급 업체 장치 패키지
PG-TISON-8

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