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FGA30T65SHD

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부품 번호
FGA30T65SHD
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
FGA30T65SHD.pdf
합계:$2.68064
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부품 번호
FGA30T65SHD
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
부품 상태
Active
IGBT 유형
Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
60A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
90A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
전력 - 최대
238W
스위칭 에너지
598µJ (on), 167µJ (off)
입력 유형
Standard
게이트 차지
54.7nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
14.4ns/52.8ns
시험 조건
400V, 30A, 6 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
31.8ns
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3
공급 업체 장치 패키지
TO-3PN

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